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對三極管測試儀的工作原理分析精辟透徹
- 分類：新聞資訊
- 作者：
- 來源：
- 發布時間：2022-03-07
- 訪問量：0
【概要描述】我一直在梳理設備方面的知識。二極管已經被分類，一些MOS相關的內容已經寫在前面。我還沒有梳理過三極管測試儀。
為了完善知識體系，我在網上學習、查閱并找到了一篇關于如何理解三極管測試儀工作原理的更好的文章。我覺得很好。我把它整理出來，分享給大家。
對三極管測試儀的工作原理分析精辟透徹
【概要描述】我一直在梳理設備方面的知識。二極管已經被分類，一些MOS相關的內容已經寫在前面。我還沒有梳理過三極管測試儀。
為了完善知識體系，我在網上學習、查閱并找到了一篇關于如何理解三極管測試儀工作原理的更好的文章。我覺得很好。我把它整理出來，分享給大家。
- 分類：新聞資訊
- 作者：
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- 發布時間：2022-03-07
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我一直在梳理設備方面的知識。二極管已經被分類，一些MOS相關的內容已經寫在前面。我還沒有梳理過三極管測試儀。
為了完善知識體系，我在網上學習、查閱并找到了一篇關于如何理解三極管測試儀工作原理的更好的文章。我覺得很好。我把它整理出來，分享給大家。
至于三極管測試儀，我相信每個從事硬件行業的人都應該看到它的基本原理?，F在我們回顧舊的，了解新的，所以很好用問題來看待它。
這里我準備了幾個問題。讓我們看看這些問題。
1.為什么集電極結具有反向偏置導電并產生IC，這似乎與二極管原理強調的PN結的單一導電性相矛盾。
2.為什么集電極電流IC在放大狀態下只受電流IB控制，與電壓無關；
這就是為什么IC和IB之間存在固定的放大率關系。盡管基區很薄，但只要IB為零，IC為零。
3.在飽和狀態下，當VC電位很弱時，仍會出現反向大電流IC。
為什么以上三點是正確的？
許多教科書在解釋方法上對這一部分處理不當。特別是對于流行的初中生教科書，大多采用回避的方法，只給出結論而不給出理由。
即使是高度專業化的教科書，大多數使用的解釋方法也有值得討論的問題。這些問題主要體現在講解方法的切入角度不恰當，使得講解內容相互矛盾，甚至導致說勝于不說的效果，使初學者閱讀后容易產生困惑。
傳統方法和問題
傳統的方法一般分為三個步驟。以NPN型為例（以下所有討論均以NPN型硅管為例）。
1.將電子從發射區注入基極區；
2.電子在基區的擴散和復合；
3.集電極區域收集從基極區域擴散的電子。
問題1：在步驟3中，在解釋集電極電流IC的形成原因時，這種解釋方法沒有從載流子的性質著眼于集電極區域的反向偏置傳導，導致IC，而是不當地強調了VC的高電位效應和薄基區。這種強調很容易被誤解。認為只要VC足夠大，基區足夠薄，集電極結可以反向導電，PN結的單向導電性就會失效。事實上，這恰恰與三極管測試儀的電流放大原理相矛盾。三極管測試儀的電流放大原理只要求在放大狀態下，IC和VC在數量上是獨立的，IC只能由IB控制。
問題2：三極管測試儀的飽和狀態不能很好地解釋。當三極管測試儀工作在飽和區時，VC值很小，甚至低于VB。此時，仍然存在較大的反向飽和電流IC，即當VC非常小時，集電極結仍將具有反向導通。這顯然與強調VC的高潛力效應相矛盾。
問題3：傳統說法的第2步過分強調了薄基區，這也容易讓人產生這樣的誤解，即薄基區足以支持三極管測試儀集電極結的反向傳導。只要基區足夠薄，集電極結就可能失去PN結的單向導電性。
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半導體分立器件測試系統測試范圍-開爾文
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